2025年9月4号下午4点，原磊纳米材料的技术总监时秋伟博士在C8-3会议室做邀请报告，报告题目为:原子层沉积（ALD）技术优势及工艺经验分享。

 原子层沉积（ALD）是通过交替向衬底输入源气体、使其在表面逐层反应沉积薄膜的技术，具备原子级控制、高均匀度、优秀覆盖能力，保型性与厚度控制优于 PVD、CVD，适用于需高保型、精确控厚的场景。

 报告介绍 Al₂O₃，SnO₂，HfO₂等多类 ALD 薄膜特性，及其在半导体、光伏、电池等领域的应用，并分享了相关工艺经验及重点参数。

 同时提及原子层刻蚀（ALE）技术（与 ALD 相反，逐层刻蚀，高保型、控厚精准）及应用，还说明 ALD 设备选择依据（材料类型、等离子体需求、应用场景等）与热法 ALD、PEALD 的技术差异。

互动环节中，参会师生围绕报告内容展开了热烈深入的讨论，最后，讲座在热烈的掌声中落下帷幕。